5. k点サンプリングと物理量の収束

• 5.1. k点はいくつ必要か：金属Cuと半導体Siの収束
  • 5.1.1. k点メッシュ
  • 5.1.2. 計算対象と計算条件
  • 5.1.3. 既約k点
  • 5.1.4. 全エネルギーの収束
  • 5.1.5. スメアリング幅
  • 5.1.6. エネルギー差と圧力
  • 5.1.7. テトラヘドロン法との比較
  • 5.1.8. 必要なk点メッシュ
  • 5.1.9. この数値実験から分かること
  • 5.1.10. 参考文献
• 5.2. 計算条件と再現手順
  • 5.2.1. 計算環境
  • 5.2.2. 配布ファイル
    • 5.2.2.1. 構造ファイル
    • 5.2.2.2. スクリプト
    • 5.2.2.3. 記事の計算の出力
  • 5.2.3. Quloudでの計算手順
    • 5.2.3.1. 共通の設定
    • 5.2.3.2. 1. Cuの計算
    • 5.2.3.3. 2. Siの計算（固定占有）
    • 5.2.3.4. 3. Cuのテトラヘドロン法
    • 5.2.3.5. 4. 出力のダウンロードと解析
  • 5.2.4. 計算と数値を扱う上での注意